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仙途高歌 第37章 三极管

作者:由木.CS 分类:武侠 更新时间:2024-10-03 17:20:18 来源:258中文

三极管是21世纪科技文明的基石,它的主要特性就是可以放大电流和电压,可以作为开关。

它又叫做半导体技术,为什么呢?因为它是由六种半导体构成的。

带自由电子的半导体三种:

一种是高掺杂型半导体,在高纯度硅晶体中加入较多的磷元素。

一种是中等掺杂半导体,在高纯度硅晶体中加入适中的磷元素。

最后一种是中等掺杂半导体,在高纯度硅晶体中加入较少的磷元素。

带正离子的半导体三种:

一种是高掺杂型半导体,在高纯度硅晶体中加入较多的硼元素。

一种是中等掺杂半导体,在高纯度硅晶体中加入适中的硼元素。

最后一种是中等掺杂半导体,在高纯度硅晶体中加入较少的硼元素。

这六种半导体可以有两种组合:

磷元素高浓度掺杂半导体,硼元素中等浓度掺杂半导体,磷元素低浓度掺杂半导体,三种半导体依次叠在一起,中间的半导体厚度很薄,两边的半导体厚度很厚,称为npn半导体。

硼元素高浓度掺杂半导体,磷元素中等浓度掺杂半导体,硼元素低浓度掺杂半导体,三种半导体依次叠在一起,中间的半导体厚度很薄,两边的半导体厚度很厚,称为pnp型半导体。

以上就是半导体的物理结构了,实际上它很简单,就是三块掺杂浓度不一样的半导体叠加而已,只是因为随着现代社会的半导体技术发展,人们需要了解它的参数,利用数学模型描述它,对它进行了大量的实验和数据收集,利用无数的数据归纳出了很多的公式,比如三极管的阻抗公式,三极管等效代换公式。

科学家利用这些实验室数据,总结出来了数学公式描述三极管,而普通人并没有实验室研究这些半导体器件的经历,加上研究半导体的科学家文学水平很差,导致半导体技术的资料描述十分抽象,这才是半导体技术越来越难的原因。

举个例子,方浩曾经在在模拟电子教科书上找到十几个错误,这还是权威得本科教科书,可见国内的半导体技术顶尖水平实在是不怎么样。

还有一点,半导体技术发展过程中不仅仅是技术,同时统一的技术规范也是十分重要的,不过这种技术规范是半导体公司逐渐形成的绝密资料,支撑着半导体公司的强大,比如因特尔、高通、三星这些半导体比较强的公司。

为什么这些技术规范很重要?因为这些技术规范不仅仅是经验,同时是一个系统的数学模型,这是需要足够的时间的慢慢研究的。

举个例子,比如微软的操作系统,与其说是一款复杂的软件,不如说是一个复杂的数学模型,只不过这个数学模型用在了软件上。

有了技术规范,就有了整体的数学模型,才会拥有半导体技术良性发展的土壤,否则技术体系混乱不堪,如何发展?这才是现代社会的很多行业发展不起来的原因。

有很多例子,欧美国家的一流科技企业,他们做的每一件事都是有迹可循的,每一个实验,每一笔投资都不是随便来的,而是遵循着一条神秘数学规律,每隔两三年,他们的技术就会更新一次。

他们的技术更新不是国内的科技公司那种更新,这种更新是二次开发,国际一流科技公司是从底层开始的更新,比如创造一门编程语言,比如创造一代自动化设备,这些例子很多。

因为方浩没有进过这些一流企业内部,自然不知道这些数学模型是什么,这些数学模型在国内也仅仅知道只言片语,似乎是一个非常保密的行业。

这次的研究,方浩也在立志于打造一个类似的产业数学模型,使得以后的研究能够按照这个数学模型慢慢发展,良好地传承下去。

……

信息研究院。

“我们在半导体中掺杂了很多的元素,其中一些元素很难掺杂,不过我结合了修真技术完美地解决了这些难题,我将元素周期表中的87种元素按照不同浓度,掺杂在半导体中,现在一共制成了1257种样品,发现了它们的各种特性,目前正在紧张实验之中。”来到半导体实验室,冰雪向他介绍道。

冰雪女妖已经是信息研究部门的部门领导,方浩不再兼任信息研究部门领导的职位,而是专心领导研究院,统筹所有的部门,研究整个科技体系。

这种系统的研究是经过众位研究院专家讨论出来的,类似一种穷举法,不仅仅是硅半导体,还有其它种类的半导体,如果要完成所有的研究,需要几年时间的数据积累,然后选出适用的半导体。

“其它的几种元素还是找不到吗?”方浩点点头,然后问道。

“探险队找到了一块星空重金属陨石,里面的元素非常丰富,其它的元素也可以找到,但是很难分离,因为它们都是重金属,目前还没有分离它们的办法,不过材料研究所的人正在紧锣密鼓的研究,相信过段时间就会做出突破。”冰雪说道。

“嗯,你们做的不错,另外注意下新人,看看没有好的苗子,如果有的话好好培养一下,但是要注意笼络,不要让他们跑了。”方浩吩咐道。

“嘻嘻,多谢夸奖,你放心吧,这些事情我有注意。”冰雪嘻嘻一笑,说道。

……

机械研究所,到处是隆隆作响的机器,河陪着方浩视察着。

“我们的掺杂技术有了多少进展?”看着面前的机器,方浩问道。

“我们进展很顺利,还要感谢你的提示,我们班能这么快找到办法,目前进展速度最快的掺杂技术有两种,高温扩散掺杂和离子注入掺杂,目前的进度很快,想必不需要多久就可以实现初步的量产。”河回答道。

“不要急,我们慢慢来,掺杂技术的前景很大,我们要为以后的发展打下基础,不能光赶进度。”方浩道。

“我知道,相关的数据我们一直在收集和处理。”河回道。

热扩散技术是一种比较容易的掺杂技术,想要把杂质掺入半导体晶体,就需要进行较高温度的热扩散,因为杂质原子的半径一般都比较大,它们要直接进入半导体晶格的间隙中去是很困难的,只有当晶体中出现有晶格空位后,杂质原子才有可能进去占据这些空位,并从而进入到晶体。

为了让晶体中产生出大量的晶格空位,所以,就必须对晶体加热,让晶体原子的热运动加剧,以使得某些原子获得足够高的能量而离开晶格位置、留下空也因此原子的扩散系数随着温度的升高而指数式增大。

离子注入掺杂技术是一种比较先进的技术,为了使杂质原子能够进入到晶体中去,需要首先把杂质原子电离成离子,并用强电场加速、让这些离子获得很高的动能,然后再直接轰击晶体、并挤进到里面去,这就是注入。

当然,采用离子注入技术掺杂时,必然会产生出许多晶格缺陷,同时也会有一些原子处在间隙中,所以,半导体在经过离子注入以后,还必须要进行退火处理,以消除这些缺陷和使杂质激活。

因为杂质原子要能够提供载流子,就必须处于替代si原子的位置上,这样才能产生载流子,所以在半导体中,即使掺入了杂质原子,但是如果这些杂质原子没有进入到替代位置,那么它们也将起不到提供载流子的作用,因此,还需要进行一定的热处理步骤,那就是激活退火。

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